Изпечатай

[danaildr]

Само може би ще харчи по-малко ток, щото щели да го правят по 10 нанометра (     ). А ве още малко и няма да има де да тече тока ве. Тия са луди.

Гоше ... само за информация, вече има създаден 1nm транзистор , което значи, съвсем скоро  ще има и процесори по тази технология.

Ами как ще стане това (1nm транзистор) като във википедията пише за кристалната решетка на силиция:

Silicon, like carbon and germanium, crystallizes in a diamond cubic crystal structure with a lattice spacing of 0.5430710 nm (5.430710 Å).[13]

Ако правилно го разбирам това 0.5nm е разтоянието межу два атома на силиция.
Или с други думи са решили да правят транзистор само от 2 атома Барем поне 3-4 атома да беше .... та поне да има по едни атом за краката му. 
Лъжат на поразия! И се чудят как да оправдаят и удължат закона на Мурч0.

------
PS май не е точно така. Тези нанометри на технологията (32, 22, 14.... ) явно не са размерите на транзистора а разделителната способност на технологията - най малкият детайл/елемент който може да се изобрази. Е транзистора се състои от различни елементи... гейт, контактни повърхнини....пътечки- така че е доста по голям.

Но това при 1нм не променя нещата. Какво ще му направят гейта от 2 атома,  що ли?

От друга страна нищо не им пречи например да направят транзистор по 1нм технология, но той да е голям като за транзистор от 22нм. Могът да ни бъзикат и лъжат както си искат.

1. 1nm размер на гейта
2. не е задължително да е силициев кристал

[go_fire]

Същото казваш. Един нанометър са два атома. Ако ще и Германий да е.

[danaildr]

Същото казваш. Един нанометър са два атома. Ако ще и Германий да е.

В статията  която обявяват 1nm транзистор, се обяснява, че се ползва въглеродна нанотръба (диаметъра и е около 0.246 nm) и циркониев диоксид. Така, че ... има още накъде да се ходи.

[go_fire]

Само седмица след като (да им се) Невиди/я обявиха новата си платка по Тегра, Фороникс пусна изпитания, както бе обещал:

http://www.phoronix.com/vr.php?view=24362

Правят впечатление няколко неща. Първо, че е доста спартанска. Има 1 usb, 1 hdmi, 1 rj45, 1 sd, 2 антени и това е. Но на картинката виждам нещо (пък и от текста разбирам), което изглежда, че е някакъв разширителен жлеб за периферия.

Платката идва с 8 ГБ памет, както е редно за минимален работен плот. Предишната версия незнайно защо е била само с четири.

Другото, което прави впечатление е консумацията — 15 В, което е над 5 пъти повече от на нормален Арм по А53 и по-стари. Затова има и вариант (с джъмпер) за половината и малко по-лоша производителност.

И като казахме производителност — тя е убиствена. Отвява всякакви атоми далеч назад.

И цената също е убийствена. 600 щ.д. за малко парче текстолит. Какво да правиш? Все пак не могат да избягат от самите себе си.

[4096bits]

Тази технология както я обявяват с цифричка в нанометри означава, че това е проходящия размер на фотографската плака. Сътветно и най-малкия възможен размер на всеки елемент направен с нея. Сега, може да има и технология която да фокусира лазера още повече, обаче... съмнително е.

[zahari_bgr]

Olimex is shipping its open source, Alwinner A64 based Teres-A64 laptop kit, with an 11.6-in LCD, 2GB RAM, 16GB eMMC, 9500mAh battery, and an Ubuntu Mate OS.

[zxz]

Реално погледнато не би трябвало да може да се направи транзистор по-малък от 7nm. Причината за това е в този ефект - https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_tunnelling. Именно заради това големите фирми вече се ориентират към квантовите компютри.

[Naka]

по-малък от 7nm

А това откъде идва. То ясно че ще се появят тунелни ефекти, но тази цифра откъде е...Новини...Официални изявления на Интел или някакви теоретични сметки? 

[Acho]

Хахаххахааааааааа, може и до 6.93 да го докарат накрая.

[deant01]

и тая тема отиде у ряката...

[Naka]

Я .. във Википедията много хубаво са го написали.

Tunnelling occurs with barriers of thickness around 1-3 nm and smaller,[14] but is the cause of some important macroscopic physical phenomena. For instance, tunnelling is a source of current leakage in very-large-scale integration (VLSI) electronics and results in the substantial power drain and heating effects that plague high-speed and mobile technology; it is considered the lower limit on how small computer chips can be made.[15] Tunnelling is a fundamental technique used to program the floating gates of FLASH memory, which is one of the most significant inventions that have shaped consumer electronics in the last two decades.

Което обаче е много интересно, че точно това се ползва за записа във Флаш паметите, които ползваме всеки Божи ден. Електоните прескачат изолацията на гейта, щото имат вълнови свойства и се натъпкват в гейта.

Та следващият път като си записвате нещо на флашката имайте в предвид, че ползвате едно истинско квантово устройство.

[Naka]

Хахаххахааааааааа, може и до 6.93 мм да го докарат накрая.

За малко не познахте. Ама не им давай идеи де....
В момента са на вълна слагане на плюсчета.

14nm     (тези кои бяха? )
14nm+    (Kaby Lake I5 и I7 седма серия)
14nm++  ( Cоffee Lake I5 и I7  осма серия) - излезе тия дни

Нещата явно са се позапекли щом са опряли до плюсчетата. 

[zxz]

Поразчетох се малко по темата, оказа се че аз съм в грешка. При 7nm просто започва този тунелен ефект, но явно има и някакви начини да се избягва. Ето тази статия в уикипедия показва малко повече информация по въпроса - https://en.wikipedia.org/wiki/5_nanometer Явно има някакъв начин, но още не е изпипан да започне масово производство на такива устройства.

[jet]

И един лаптоп с Raspberry 3 https://pi-top.com/products/pi-top
Само, че с истински дисплей: 14" 1920 x 1080

[Naka]

 Не си много в грешка.... Започва,  не започва... Там си е.как да се избегне. Все едно да се каже че може да се избегне интерференцията.